金融界2024年10月18日音讯，国家知识产权局信息数据显现，横店集团东磁股份有限公司请求一项名为“一种TBC太阳能电池的制备办法”的专利，公开号CN 118782688 A，请求日期为2024年9月。
专利摘要显现，本发明触及太阳能电池范畴，公开了一种TBC太阳能电池的制备办法。本发明选用单层i‑poly‑Si层结合紫外激光氧化构成掩膜进行掺杂分散得到TBC太阳能电池，全制备进程仅需一次i ‑poly Si堆积及次激光开槽，可防止屡次i‑poly‑Si堆积引起的热应力散布不均匀导致产品功能和良品率下降等方面问题；一起一次激光开槽可削减对硅片的损害，提高V oc；此外选用一次i‑poly‑Si堆积还能够大幅度削减特气用量，下降出产所带来的本钱。此外，本发明办法制得的TBC太阳能电池中，硅片反面的i‑poly‑Si层构成n+‑poly‑Si层高度根本共同，有助于后续电极层的制备，可进一步提高产品功能和良品率。
